La empresa detrás de la memoria flash X-NAND afirma haber duplicado la velocidad de su almacenamiento para su segunda generación de chips, según informa Blocks and Files (se abre en una nueva pestaña), lo que permite escrituras de datos en paralelo. De esta forma, X-NAND puede ofrecer niveles de rendimiento SLC desde flash QLC, que es más económico y ofrece mayores capacidades.
L'architecture X-NAND de Neo Semiconductor peut être appliquée à toutes les générations de mémoire flash et consiste à diviser chaque plan de la matrice 3D en quatre à 16 sous-plans, chacun accessible en parallèle, en utilisant des tampons de page pour optimiser velocidad. Generación 2 X-NAND (se abre en una nueva pestaña) (PDF) toma esta idea y la comprime, usando un plano para escribir sobre otro, mientras que antes habría usado tres planos para escribir sobre un cuarto. Consulte nuestro artículo aquí para obtener una descripción más completa de cómo funciona la tecnología.
La explicación simple es que acelera las cosas, y un chip 3D Gen 2 X-NAND se puede escribir a 3200 Mbps en lugar de los 1600 Mbps de la generación anterior, todo funcionando 20 veces más rápido que el flash NAND convencional. También hay mejoras de latencia, pero no se han publicado detalles al respecto.
La tecnología Gen 2 ganó el premio Best in Show (se abre en una nueva pestaña) en la Cumbre de Memoria Flash de este año, celebrada en Santa Clara, California, del 2 al 4 de agosto. Según Neo, la nueva tecnología es compatible con las técnicas de fabricación actuales sin aumentar los costes de fabricación ni el tamaño de los troqueles.
Hablando después de recibir el premio, el fundador y director ejecutivo de Neo Semiconductor, Andy Hsu, dijo: "Este premio reconoce nuestros esfuerzos para traer una tecnología verdaderamente innovadora al mercado NAND con una amplia gama de capacidades que resuelven los cuellos de botella de los cuellos de botella de rendimiento cada vez mayores en los sistemas informáticos y los consumidores. . productos. X-NAND Gen-2, que duplica el rendimiento en comparación con X-NAND Gen-1, permite al cliente lograr un rendimiento similar al de SLC con una memoria QLC de mayor capacidad y menor costo. X-NAND Gen2 incorpora cambios de diseño y arquitectura de impacto cero que no aumentan los costos de fabricación al tiempo que ofrece mejoras extraordinarias en el rendimiento y la latencia.
Sin embargo, en el momento de escribir este artículo, no estaba claro qué empresas de almacenamiento utilizaban realmente X-NAND.
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