Samsung presentó su hoja de ruta de tecnología de fabricación actualizada en su Samsung Foundry Forum (SFF) 2023 anual. Adicionalmente, la compañía tiene la intención de asociar un proceso de fabricación de radiofrecuencia de clase 5nm de última engendramiento y comenzar a confeccionar chips de GaN en los próximos abriles.
Samsung demora que su tecnología de fabricación SF2 (clase 2nm) ofrezca un 25 % más de eficiencia energética (con la misma frecuencia y la misma cantidad de transistores), un 12 % más de rendimiento (con la misma potencia y la misma complejidad) y una disminución del 5 % en (con la misma cantidad de transistores) en comparación con SF3 (clase de 3 nm de segunda engendramiento), reveló la compañía en SFF 2023. La compañía comenzará a confeccionar SoC móviles en un nodo de 2 nm en 2025 y seguirá con un nodo SF2P mejorado con HPC en 2026 Mientras tanto, se demora que el proceso de fabricación SF1.4 (clase 1,4nm) esté arreglado para los clientes de Samsung en 2027.
Para hacer que su nodo SF2 sea más competitivo, Samsung tiene la intención de avalar que sus clientes pronto tengan paso a una colección de IP SF2 de reincorporación calidad, incluidas interfaces como LPDDR5x, HBM3P, PCIe Gen6 y 112G SerDes.
Adicionalmente de ofrecer tecnologías avanzadas para teléfonos inteligentes, PC de clientes y SoC de centros de datos, Samsung asimismo planea ofrecer procesos de fabricación especializados en los próximos abriles. Esto incluye el SF2A adecuado para aplicaciones automotrices en 2027 y el nodo de radiofrecuencia (RF) de 5 nm en 2025. En comparación con el proceso de RF de 14 nm de engendramiento flagrante, se demora que el próximo RF de 5 nm mejore la eficiencia energética en un 40 % y aumente la densidad del transistor en más o menos de 50%. .
Asimismo se demora que Samsung comience a confeccionar semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) en 2025. Estos chips serán para una variedad de aplicaciones, que van desde la electrónica de consumo hasta los centros de datos y la industria automotriz.
Samsung Foundry no solo se enfoca en expandir su cartera de tecnología, sino asimismo en mejorar sus capacidades de fabricación en los Estados Unidos y Corea del Sur. La compañía planea comenzar la producción de chips de parada bulto en su Pyeongtaek Line 3 (P3) en la segunda parte de 2023. La industria de Taylor, Texas, está en camino de completar la construcción para fines de año, y sus operaciones deberían comenzar en la segunda parte de 2024 (probablemente muy finales de 2024).
Como parte de sus ambiciosos objetivos, el proveedor de chips tiene la intención de aumentar su capacidad total de salas limpias en 7,3 veces para 2027, un aumento sustancial con respecto a la capacidad que tenía en 2021.
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