Como proveedor de memoria NAND más grande del mundo, Samsung tiene grandes planes para el desarrollo de su V-NAND (que la compañía llama 3D NAND), algunos de los cuales compartió esta semana. La compañía confirmó que está en camino de producir su memoria V-NAND de novena generación con más de 300 capas en 2024 y dijo que tendrá la mayor cantidad de capas activas de la industria.
"La novena generación de V-NAND está en camino de ser producida en masa a principios del próximo año, con el mayor número de capas de la industria basada en una estructura de doble pila", escribió Jung-Bae a Lee, presidente y jefe de negocios de memoria de Samsung Electronics. una publicación de blog.
En agosto supimos que Samsung estaba trabajando en una V-NAND de novena generación con más de 300 capas, que conservará la tecnología de doble pila adoptada por primera vez por Samsung en 2020. Samsung no solo confirmó que iba por buen camino con su nuevo Generación no NAND. memoria volátil, pero también que supuestamente tiene más capas activas que la memoria 3D NAND de la competencia. Hasta ahora, sabemos que la 3D NAND de próxima generación de SK Hynix tendrá 321 capas activas. Entonces parece que Samsung espera que su memoria tenga más capacidad.
Aumentar el número de capas permitirá a Samsung aumentar la densidad de almacenamiento de sus dispositivos 3D NAND. La compañía espera que los próximos tipos de memoria flash ganen no sólo en densidad de almacenamiento, sino también en rendimiento.
"Samsung también está trabajando en la próxima generación de tecnologías de creación de valor, incluida una nueva estructura que maximiza la velocidad de entrada/salida (E/S) de V-NAND", dijo Jung-Bae Lee.
No estamos seguros de qué podemos esperar de la V-NAND de novena generación de Samsung en términos de rendimiento, aunque estamos seguros de que la compañía utilizará esta memoria para sus próximos SSD. Quizás sea entonces cuando veamos los SSD minoristas de la compañía con una interfaz PCIe Gen5, los sucesores de la serie 990 Pro de Samsung, que se encuentran entre los mejores SSD que existen en este momento.
En cuanto a la innovación tecnológica a largo plazo, Samsung apuesta por minimizar la interferencia celular, reducir la altura y maximizar el número de capas verticales, lo que le permitirá alcanzar los tamaños de celda más pequeños de la industria. Estas innovaciones ayudarán a hacer realidad la visión de Samsung de crear 3D NAND con más de 1.000 capas, así como soluciones de memoria altamente diferenciadas, y garantizarán que las ofertas de la compañía sigan siendo relevantes para centros de datos, PC y otras aplicaciones.
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