Samsung planea adoptar la tecnología de proceso de 1,4 nm para 2027

Samsung Foundry presentó esta semana su hoja de ruta a largo plazo que cubre sus procesos de fabricación de próxima generación, así como la expansión de sus capacidades de producción. La empresa no tiene planes de desacelerar el desarrollo e implementar nuevas tecnologías de fabricación, o expandir las capacidades de fabricación para satisfacer la demanda de chips avanzados en el futuro.

Samsung Foundry tiene la intención de comenzar a fabricar chips utilizando su proceso de fabricación de 2 nm de próxima generación para 2025, así como su nodo de producción de 1,4 nm para 2027, según un informe de Nikkei. A principios de este año, Samsung comenzó a fabricar semiconductores utilizando su tecnología de fabricación de 3nm de primera generación (también conocida como 3GAE, o gate-all-around temprano). En 2024, la empresa adoptará su nodo de 3nm de segunda generación (también conocido como 3GAP, o gate-all-around plus).

(Crédito de la imagen: Samsung)

Parce qu'il devient de plus en plus difficile de développer de nouveaux processus de fabrication et de les adopter pour la production de masse, il n'est pas particulièrement surprenant que le nœud 2 nm (ou 20 angströms) de Samsung soit prêt dans environ dos años. Para cuando Samsung Foundry esté listo con su tecnología de 2nm, su rival Intel comenzará a usar su nodo 20A a mediados de 2024 y el nodo 18A a mediados de 2025, según la hoja de ruta actual. Mientras tanto, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. planea lanzar una producción de alto volumen utilizando su nodo de 2nm en la segunda mitad de 2025 y entregar los primeros chips a principios de 2026.

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