TSMC prepara N2P y N2X: 2 nm con rendimiento mejorado

En el Simposio de Tecnología de América del Finalidad 2023, TSMC reveló más información sobre sus próximas tecnologías de proceso de clase 2nm que se calma que estén listas para la producción en 2025-2026. La fundición más ancho del mundo planea expandir su clan N2 con N2P, que obtendrá un riel de provisiones trasero y promete mejorar el rendimiento, someter el consumo de energía y aumentar la densidad del transistor. Encima, TSMC está planeando N2X, un nodo diseñado para congratular el mayor rendimiento y aposentar voltajes más altos.

(Crédito de la imagen: TSMC)
Índice
  1. N2 ofrece todas las ventajas del nodo
  2. N2P: riel de provisiones trasero para una maduro eficiencia de rendimiento
  3. N2X: altos voltajes para un rendimiento extremo

N2 ofrece todas las ventajas del nodo

La tecnología de proceso N2 flamante de TSMC, que se calma que entre en producción de parada pandeo en algún momento de 2025, presenta los transistores All Around Gate (GAA) Nanosheet. En comparación con el N3E, el nuevo nodo promete aumentar el rendimiento entre un 10 % y un 15 % con la misma potencia y número de transistores, o someter el consumo de energía entre un 25 % y un 30 % manteniendo la misma frecuencia y la misma complejidad. Con respecto al escalado, TSMC se abstiene de proporcionar números detallados, pero afirma que la nueva tecnología de fabricación permitirá un aumento del 15 % en la densidad del chip, que es un término ambiguo ya que refleja un circuito integrado hipotético que contiene un 50 % de método y un 30 % de SRAM. , y 20% circuitos analógicos.

(Crédito de la imagen: TSMC)

El progreso de N2 de TSMC parece estar según lo programado. Durante su simposio, TSMC anunció que el rendimiento de sus transistores Nanosheet GAA había ajustado más del 80 % de sus especificaciones objetivo y que el rendimiento promedio de un IC de prueba SRAM de 256 MB superó el 50 %.

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