Una nueva investigación de memoria se camelo de un brinco de densidad de 100x, computación y memoria fusionadas

Las nuevas investigaciones en las fronteras de la ingeniería de materiales prometen un aumento de rendimiento verdaderamente sorprendente para los dispositivos informáticos. Un equipo de investigación dirigido por Markus Hellbrand et al. y asociados con la Universidad de Cambridge creen que el nuevo material, basado en capas de óxido de hafnio atravesadas por puntas de bario que cambian de voltaje, fusiona las propiedades de la memoria y los materiales relacionados con el procesamiento. Esto significa que los dispositivos podrían funcionar para el almacenamiento de datos, ofreciendo de 10 a 100 veces la densidad de los medios de almacenamiento existentes, o podrían estilarse como una pelotón de procesamiento.

Publicada en la revista Science Advances, la investigación nos brinda un camino por el cual podríamos terminar con una densidad, rendimiento y eficiencia energética mucho mayores en nuestros dispositivos informáticos. Tanto es así, de hecho, que una típica pelotón flash USB basada en tecnología (que se ardor rango continuo) podría contener entre 10 y 100 veces más información que la que usamos actualmente.

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